本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种用于单晶金刚石生长的支架结构、一种单晶金刚石的生长方法。本发明提供的用于单晶金刚石生长的支架结构，包括圆柱形籽晶托、屏蔽罩和隔热环。本发明利用优化设计的衬底支架组装进行同质外延生长单晶金刚石，利用特殊设计的屏蔽罩有效避免了生长过程中外延层表面边缘区域因强电场而形成的局部热点，并且配合特殊设计的隔热环可以最大程度上调控生长过程中外延层表面边缘区域与中心区域的温度梯度，有效抑制了生长过程外延层表面多晶边框的形成。