Invention Publication
- Patent Title: 一种完全垂直双层变迹光栅耦合器
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Application No.: CN202410569499.1Application Date: 2024-05-09
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Publication No.: CN118311712APublication Date: 2024-07-09
- Inventor: 林曈 , 杨嘉勉 , 郑俊豪 , 李简风 , 李柳
- Applicant: 东南大学
- Applicant Address: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
- Assignee: 东南大学
- Current Assignee: 东南大学
- Current Assignee Address: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
- Agency: 南京众联专利代理有限公司
- Agent 杜静静
- Main IPC: G02B6/12
- IPC: G02B6/12 ; G02B6/124 ; G02B6/136
Abstract:
本发明涉及一种完全垂直双层变迹光栅耦合器，包括：自上而下依次叠放在一起的氧化物上包层、氮化硅光栅层、底部硅光栅反射层、氧化物下包层以及硅衬底层，所述氧化物上包层与氧化物下包层的材质一致，均为二氧化硅，且折射率应小于光栅耦合器中的材质硅和氮化硅，本发明中光纤以垂直角度入射，不需要研磨光纤端面，无需复杂的对准或测试，可以有效降低芯片封装成本，同时保证了较高的耦合效率，更有利于晶圆级测试与后道工艺里的封装。
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