本发明涉及薄膜太阳电池领域，尤其是涉及一种Cu2ZnSnS4吸收层与柔性Mo背电极间MoS2界面层的调控方法和评估方法，调控方法包括Si缓冲层的制备：对柔性Mo基底进行清洗，采用氮气吹干Mo基底表面后，通过射频溅射法在柔性Mo基底上制备20～40nm厚的Si缓冲层；Cu2ZnSnS4薄膜吸收层的制备：在制备好Si缓冲层的样品上再通过磁控溅射法进行CuZnSn金属前驱体薄膜的制备，然后将包含Si缓冲层的CuZnSn金属前驱体薄膜在管式炉进行高温硫化处理，制得Cu2ZnSnS4薄膜，本发明采用与Cu2ZnSnS4吸收层和Mo背电极的晶格常数接近的Si缓冲层进行Cu2ZnSnS4/Mo的背界面处MoS2界面层厚度的调控，改善Cu2ZnSnS4/Mo的背界面处的欧姆接触特性。