本发明涉及太阳能电池领域，尤其涉及隧穿氧化层及TopCon电池的制备方法，所述隧穿氧化层的制备方法包括：将去除BSG和背结的硅片在第一反应温度下置于包含有空气以及臭氧的环境中，进行初步氧化步骤，从而在硅片表面形成第一氧化层，随后将经过第一氧化步骤后的硅片传输至LPCVD反应腔室中，并向LPCVD反应腔室中通入由氧气、臭氧以及水蒸气组成的混合气体，从而在第二反应温度下进行深度氧化步骤，最终形成隧穿氧化层。本申请首先通过初步氧化以及深度氧化的分步氧化步骤，有效控制了隧穿氧化层的生长速度，从而保证了隧穿氧化层的厚度均匀性。同时，本申请还通过控制氧化气体的种类，在保证隧穿氧化层的均匀性的前提下，有效降低了氧化温度。