- 专利标题: TOPCON电池正面绕镀多晶硅刻蚀的监控方法
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申请号: CN202410612546.6申请日: 2024-05-17
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公开(公告)号: CN118197970A公开(公告)日: 2024-06-14
- 发明人: 郎芳 , 潘明翠 , 王子谦 , 马红娜 , 王红芳 , 夏新中 , 赵学玲 , 翟金叶 , 张磊 , 史金超 , 于波 , 刘莹 , 麻超
- 申请人: 英利能源发展有限公司
- 申请人地址: 河北省保定市朝阳北大街3399号5号厂房227室
- 专利权人: 英利能源发展有限公司
- 当前专利权人: 英利能源发展有限公司
- 当前专利权人地址: 河北省保定市朝阳北大街3399号5号厂房227室
- 代理机构: 河北国维致远知识产权代理有限公司
- 代理商 王诗琪
- 主分类号: H01L21/67
- IPC分类号: H01L21/67 ; H01L31/18
摘要:
本发明提供了一种TOPCON电池正面绕镀多晶硅刻蚀的监控方法,属于太阳能电池技术领域,包括对化学清洗腐蚀去绕镀后的硅片进行外观监控、对外观监控合格的硅片进行腐蚀后减重监控、对经减重监控合格的硅片进行表面亲疏水监控。本发明提供的TOPCON电池正面绕镀多晶硅刻蚀的监控方法,从外观、减重及表面亲疏水多元角度对去绕镀工序的工艺质量进行多级层层监控,及时调整化学腐蚀液浓度、温度等条件,不合格发现后及时返工,大大降低了不合格品的比例,提升了电池成品合格率,降低了电池综合制作成本。
公开/授权文献
- CN118197970B TOPCON电池正面绕镀多晶硅刻蚀的监控方法 公开/授权日:2024-08-02
IPC分类: