Invention Publication
- Patent Title: 提高大模场增益光纤模式不稳定抑制能力的方法及大模场增益光纤
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Application No.: CN202410380001.7Application Date: 2024-03-29
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Publication No.: CN118091830APublication Date: 2024-05-28
- Inventor: 陈金宝 , 马鹏飞 , 刘伟 , 王泽锋 , 潘志勇 , 肖虎 , 陈子伦 , 王蒙 , 杨保来 , 杨欢 , 陈益沙
- Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
- Applicant Address: 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- Assignee: 中国人民解放军国防科技大学
- Current Assignee: 中国人民解放军国防科技大学
- Current Assignee Address: 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- Agency: 长沙国科天河知识产权代理有限公司
- Agent 周达
- Main IPC: G02B6/036
- IPC: G02B6/036

Abstract:
本发明提出一种提高大模场增益光纤模式不稳定抑制能力的方法及大模场增益光纤,包括纤芯和由内之外包覆在纤芯外的第一包层、第二包层......第n包层,所述第一包层的折射率低于所述纤芯的折射率,在纤芯的折射率和纤芯中增益掺杂剂分布情况一定的情况下,通过将第一包层的折射率分布设计为沿着光纤径向向外均匀降低直到等于所述第二包层的折射率;所述第n包层的折射率低于第n‑1包层的折射率,如此能够有效增大大模场增益光纤中高阶模式的损耗,提高大模场增益光纤模式不稳定抑制能力。本发明能够在不需要改变大模场增益光纤的纤芯折射率和纤芯增益掺杂剂分布情况下,能够设计出具有良好的模式不稳定抑制能力的大模场增益光纤。
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