发明授权
- 专利标题: 一种氧化钼靶材及制备方法
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申请号: CN202410126589.3申请日: 2024-01-30
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公开(公告)号: CN118005395B公开(公告)日: 2024-11-12
- 发明人: 陈亚光 , 张雪凤 , 李帅方 , 郭雅俊
- 申请人: 丰联科光电(洛阳)股份有限公司
- 申请人地址: 河南省洛阳市中国(河南)自由贸易试验区洛阳片区高新河洛路269号
- 专利权人: 丰联科光电(洛阳)股份有限公司
- 当前专利权人: 丰联科光电(洛阳)股份有限公司
- 当前专利权人地址: 河南省洛阳市中国(河南)自由贸易试验区洛阳片区高新河洛路269号
- 代理机构: 北京绘聚高科知识产权代理事务所
- 代理商 马婷婷
- 主分类号: C04B35/495
- IPC分类号: C04B35/495 ; C23C14/35 ; C23C14/08 ; C04B35/622 ; C04B35/645
摘要:
本发明涉及溅射靶材技术领域,且公开了一种氧化钼靶材及制备方法,氧化钼靶材的制备方法包括以下步骤:将钼酸铵在还原气氛下进行多温区还原处理,得到高纯氧化钼粉体;将高纯氧化钼粉体进行过筛处理并压制成型,得到压制坯;将压制坯进行热等静压烧结,得到氧化钼靶材烧结坯;将烧结坯进行机械加工处理,得到所需氧化钼靶材;本发明的氧化钼靶材具有一定导电率的氧化钼溅射靶材,能够适用于磁控溅射直流电源设备需求,更有利于满足磁控溅射制备氧化钼膜层的实际应用。
公开/授权文献
- CN118005395A 一种氧化钼靶材及制备方法 公开/授权日:2024-05-10
IPC分类: