发明授权
- 专利标题: 一种基于热导率的热测试芯片及其制备方法
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申请号: CN202410126998.3申请日: 2024-01-29
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公开(公告)号: CN117976546B公开(公告)日: 2024-09-06
- 发明人: 叶怀宇 , 王少刚 , 薛云 , 苏瑞盈
- 申请人: 纳宇半导体材料(深圳)有限责任公司
- 申请人地址: 广东省深圳市宝安区西乡街道蚝业社区金港大厦金港中心B座1808
- 专利权人: 纳宇半导体材料(深圳)有限责任公司
- 当前专利权人: 纳宇半导体材料(深圳)有限责任公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市宝安区西乡街道蚝业社区金港大厦金港中心B座1808
- 代理机构: 北京力量专利代理事务所
- 代理商 李婷玉
- 主分类号: H01L21/48
- IPC分类号: H01L21/48 ; G01N25/20 ; H01L23/544
摘要:
本发明涉及一种基于热导率的热测试芯片及其制备方法,包括预处理衬底,预处理衬底包括衬底,衬底内间隔布设有多个P型区域,位于中心区域的P型区域内设有N型区域,各P型区域内设有两间隔设置的P+欧姆接触,N型区域内设有两个间隔设置的N+欧姆接触;预处理衬底上间隔设有第一金属层和二氧化硅,二氧化硅上设有第二金属层,第二金属层上设有氮化硅层和第三金属层,预处理衬底背面设有多个下注入槽,多个下注入槽底部与对应的第二金属层连通,下注入槽设有多晶硅,各下注入槽的槽口覆盖有第四金属层;通过基于热导率的热测试芯片的结构设计以可以模拟真实环境,对热界面材料(TIM)进行热导率测试。
公开/授权文献
- CN117976546A 一种基于热导率的热测试芯片及其制备方法 公开/授权日:2024-05-03
IPC分类: