Invention Publication
- Patent Title: 一种以粉末氧化镓为原料化学气相沉积制备块体氮化镓的方法
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Application No.: CN202410113065.0Application Date: 2024-01-26
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Publication No.: CN117947520APublication Date: 2024-04-30
- Inventor: 李爱军 , 贺杜炜 , 霍彩霞 , 周亚迪 , 季志豪 , 涂建新 , 张方舟
- Applicant: 上海大学 , 上海大学绍兴研究院
- Applicant Address: 上海市宝山区上大路99号;
- Assignee: 上海大学,上海大学绍兴研究院
- Current Assignee: 上海大学,上海大学绍兴研究院
- Current Assignee Address: 上海市宝山区上大路99号;
- Agency: 上海新隆知识产权代理事务所
- Agent 刘兰英
- Main IPC: C30B29/40
- IPC: C30B29/40 ; C30B25/00 ; C30B28/14 ; C01B21/06
Abstract:
本发明公开一种以粉末氧化镓为原料化学气相沉积制备块体氮化镓的方法，该方法使用通过施加应力而组合的氧化镓粉末，经过化学气相沉积制备氮化镓，并利用多层石英片作为衬底，制备易于剥离的氮化镓。本发明从镓源出发，从源头上降低GaN制备成本，同时提高了GaN生产效率。
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