本申请提供了一种存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在提高存储器的读取/写入的效率。该存储阵列可以为二维存储阵列，还可以为三维存储阵列。存储阵列包括存储堆叠结构和沟道结构，存储堆叠结构包括交替设置的多个第一介质层和多个栅极层。沟道结构贯穿存储堆叠结构，沟道结构包括沟道层，及依次围绕在沟道层外侧的中间介质层和存储功能叠层，沟道层与中间介质层的表面相接触。其中，沟道层的材料包括半导体型碳纳米管。该存储阵列可以应用于NAND闪存，以实现对数据的读取和写入。