本发明提供一种半导体器件及其制备方法和电子装置，方法包括：提供衬底，所述衬底包括元胞区和终端区；在所述衬底中形成第一阱区；在所述元胞区的所述第一阱区内形成第二阱区；在所述衬底中形成多个贯穿所述第二阱区和第一阱区并且彼此间隔设置的栅沟槽结构；在所述衬底的表面形成阻挡层，以及在所述阻挡层上形成层间介质层；去除所述元胞区上的所述层间介质层和所述阻挡层；蚀刻形成贯穿所述第二阱区且底部位于所述第一阱区的接触孔；对所述元胞区进行第一离子注入。本发明的方法可以保护终端区无第一离子注入，避免在退火后形成三极管，制备得到的半导体器件的终端区可以对元胞区形成有效的保护。