本发明提供一种带隙基准电路及模拟芯片，带隙基准电路包括正温度系数电流生成模块、基准电压生成模块及使能启动控制模块，在通过正温度系数电流生成模块及基准电压生成模块产生零温度系数的带隙基准电压的基础上，通过正温度系数电流生成模块中的负反馈环路提升输出到基准电压生成模块的第一偏置电压，减小后续基准电压生成模块需要放大的小信号系数，进而有效优化了带隙基准电压的电源抑制比；同时，通过基准电压生成模块内部MOS管的二极管接法，提升了基准电压生成模块的第二偏置电压，进一步优化了带隙基准电压的电源抑制比。如此，无需采用运放，在不过多的增加电路复杂度和能耗的情况下，就能明显改善提升带隙基准电压VBG的电源抑制比。