发明公开
- 专利标题： 一种可控硅截面金相样品的制备方法
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申请号： CN202311826907.9申请日： 2023-12-27
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公开(公告)号： CN117825121A公开(公告)日： 2024-04-05
- 发明人: 史书怀 , 张朝峰 , 聂京凯 , 杜君莉 , 尹航 , 夏大伟 , 刘爽 , 丁国君 , 王群锋 , 汪涛
- 申请人： 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国网河南省电力公司 , 国网智能电网研究院有限公司 , 国网河南省电力公司直流中心
- 申请人地址： 河南省郑州市二七区嵩山南路85号; ; ;
- 专利权人： 国网河南省电力公司电力科学研究院,国网河南省电力公司,国网智能电网研究院有限公司,国网河南省电力公司直流中心
- 当前专利权人： 国网河南省电力公司电力科学研究院,国网河南省电力公司,国网智能电网研究院有限公司,国网河南省电力公司直流中心
- 当前专利权人地址： 河南省郑州市二七区嵩山南路85号; ; ;
- 代理机构： 北京三聚阳光知识产权代理有限公司
- 代理商 纪赞
- 主分类号： G01N1/28
- IPC分类号： G01N1/28 ; G01N1/36 ; G01N1/32
摘要：
一种可控硅截面金相样品的制备方法，属于金相样品制备技术领域。本发明可控硅截面金相样品的制备方法，包括以下步骤：步骤1、使用树脂对可控硅进行包裹；步骤2、使用水刀对可控硅进行切割；步骤3、将切割得到的试样使用树脂进行冷镶；步骤4、打磨；步骤5、抛光。本发明填补了可控硅截面金相样品制备的空白，为可控硅制造工艺改进提供了可靠的检测数据和保障。
