发明授权
- 专利标题： 半导体装置
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申请号： CN202280051723.7申请日： 2022-07-21
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公开(公告)号： CN117769762B公开(公告)日： 2024-10-18
- 发明人: 神田裕介
- 申请人： 新唐科技日本株式会社
- 申请人地址： 日本京都府
- 专利权人： 新唐科技日本株式会社
- 当前专利权人： 新唐科技日本株式会社
- 当前专利权人地址： 日本京都府
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 吕文卓
- 国际申请： PCT/JP2022/028359 2022.07.21
- 国际公布： WO2023/008308 JA 2023.02.02
- 进入国家日期： 2024-01-23
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778 ; H01L29/812 ; H01L29/417 ; H01L29/41 ; H01L21/338 ; H01L21/28
摘要：
半导体装置(100A)具有：第1氮化物半导体层(103)；第2氮化物半导体层(104)；源极电极(301)及漏极电极(302)；以及栅极电极(401)，与源极电极(301)及漏极电极(302)隔开间隔设置，与第2氮化物半导体层(104)接触；栅极电极(401)包括：第1阻挡层(401a)，由TaN构成，层厚为Z1，与第2氮化物半导体层(104)肖特基接合；第2阻挡层(401b)，与第1阻挡层(401a)之上接触地设置，由TiN或WN构成，层厚为Z2；以及布线层，与第2阻挡层(401b)之上接触地设置；Z1及Z2满足200nm≥Z1+Z2≥50nm，Z1 Z1>3nm。
公开/授权文献
- CN117769762A 半导体装置 公开/授权日：2024-03-26
IPC分类:
