本发明涉及半导体功率器件封装技术领域，具体提供一种半导体功率器件的封装方法及封装结构，解决了现有封装散热效果差且在大电流在导通中的损耗大的问题，该方法包括：采用光刻刻蚀法在芯片硅衬底的下表面上刻蚀凹槽；在凹槽中淀积金属散热层；对芯片下表面做平坦化处理，使所述金属散热层的下表面和金属散热层的下表面共面；将芯片焊接在封装基板上，封装基板电极连接金属散热层。本发明提供一种能够承受封装加工的工装应力、封装后电流损耗小且散热效果好的半导体器件封装方法和封装结构。