Invention Publication
- Patent Title: 大模场增益光纤模场参数获取及模式不稳定抑制能力评价方法
-
Application No.: CN202311757899.7Application Date: 2023-12-20
-
Publication No.: CN117725342APublication Date: 2024-03-19
- Inventor: 刘伟 , 马鹏飞 , 陈金宝 , 王泽锋 , 潘志勇 , 肖虎 , 陈子伦 , 王蒙 , 杨保来 , 杨欢 , 陈益沙
- Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
- Applicant Address: 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- Assignee: 中国人民解放军国防科技大学
- Current Assignee: 中国人民解放军国防科技大学
- Current Assignee Address: 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- Agency: 长沙国科天河知识产权代理有限公司
- Agent 周达
- Main IPC: G06F17/10
- IPC: G06F17/10 ; G06F30/20

Abstract:
本发明提出一种大模场增益光纤模场参数获取及模式不稳定抑制能力评价方法,包括:输入常温条件下大模场增益光纤的基础折射率分布;基于常温条件下大模场增益光纤的基础折射率分布,确定不同热负载下大模场增益光纤的修正折射率分布;基于不同热负载下大模场增益光纤的修正折射率分布,获得不同热负载下大模场增益光纤的模场参数获得不同热负载下大模场增益光纤的模场参数,模场参数包括不同模式的模场分布、传播常数和损耗系数。通过不同热负载下不同大模场增益光纤的高阶模式损耗系数能够评价不同大模场增益光纤的模式不稳定抑制能力,进而为大模场增益光纤的筛选评测和优化设计提供重要方法和依据。
Information query