- 专利标题: 氮化镓功率器件的结构、制造方法及电子设备
-
申请号: CN202410149194.5申请日: 2024-02-02
-
公开(公告)号: CN117690962B公开(公告)日: 2024-05-07
- 发明人: 李孟泽 , 黄伟宗
- 申请人: 深圳天狼芯半导体有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
- 专利权人: 深圳天狼芯半导体有限公司
- 当前专利权人: 深圳天狼芯半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
- 代理机构: 深圳中一联合知识产权代理有限公司
- 代理商 阳方玉
- 主分类号: H01L29/778
- IPC分类号: H01L29/778 ; H01L29/417 ; H01L29/423 ; H01L21/28 ; H01L21/335
摘要:
一种氮化镓功率器件的结构、制造方法及电子设备,属于半导体技术领域,包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、第一盖层、多个第一金属层、第一绝缘层、第二金属层以及第三金属层;缓冲层位于衬底的上表面。沟道层位于缓冲层的上表面;势垒层位于沟道层的上表面;第一盖层位于势垒层的上表面且部分覆盖势垒层;多个第一金属层位于势垒层的上表面且位于第一盖层第一侧间隔设置;第一绝缘层位于多个第一金属层的上表面和势垒层上表面且位于第一盖层第一侧;第二金属层位于势垒层的上表面且位于第一盖层第二侧;第三金属层设置于第一盖层的上表面和第一绝缘层的上表面;实现了对漏源电流进行调制。
公开/授权文献
- CN117690962A 氮化镓功率器件的结构、制造方法及电子设备 公开/授权日:2024-03-12
IPC分类: