本发明涉及微电子工程技术领域，提供一种晶体管自热效应仿真方法、装置及电子设备，其中的方法包括：基于漂移扩散模型对待仿真器件进行恒定温度下的电学仿真，得到第一电学特性参数；根据第一电学特性参数，获取待仿真器件内部的热源分布；根据待仿真器件内部的热源分布，对待仿真器件进行声子蒙特卡洛模拟，得到待仿真器件内部的温度分布；基于待仿真器件内部的温度分布，对待仿真器件再次进行电学仿真，得到第二电学特性参数；在第一电学特性参数与第二电学特性参数满足预设条件的情况下，导出待仿真器件内部的热源分布。该方法能够捕捉声子输运特性，获取精确地的温度场，还能够精确地获取晶体管内的产热分布，更好地反映晶体管的自热效应。