发明公开
- 专利标题: 一种多级结构的碳基储能材料及其制备方法
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申请号: CN202311644731.5申请日: 2023-12-04
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公开(公告)号: CN117638034A公开(公告)日: 2024-03-01
- 发明人: 王磊 , 王广胜 , 王杨升 , 赵培炎 , 彭华龙 , 刘伟 , 季静欣
- 申请人: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
- 申请人地址: 浙江省湖州市西塞山路819号南太湖科技创新综合体B幢
- 专利权人: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
- 当前专利权人: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
- 当前专利权人地址: 浙江省湖州市西塞山路819号南太湖科技创新综合体B幢
- 代理机构: 海南恒于志远知识产权代理有限公司
- 代理商 苗冠军
- 主分类号: H01M4/36
- IPC分类号: H01M4/36 ; H01M4/38 ; H01M4/62 ; H01M4/485 ; H01M10/42 ; H01G11/32 ; H01G11/24 ; H01G11/36 ; H01G11/46 ; H01G11/50 ; H01G11/26 ; H01G11/86 ; C01B32/15 ; C01B32/168
摘要:
本发明公开了一种多级结构的碳基储能材料及其制备方法,涉及碳基储能材料领域。该多级结构的碳基储能材料及其制备方法,包括:a)由多个层状碳纳米片组成的第一层级;b)以二维或三维形式分布在所述第一层级上的碳纳米管,形成第二层级;c)嵌入在所述碳纳米管内或沉积在其表面的金属氧化物纳米颗粒,形成第三层级。该多级结构的碳基储能材料及其制备方法,采用多级结构的碳基电极,通过合理设计不同层级的结构,第一层级的高比表面积提供了更多的活性位点,第二层级的碳纳米管网络提供了更短的电子传输路径,而第三层级的金属氧化物纳米颗粒提供了额外的嵌入位点,共同作用以提高电极的容量、导电性和循环寿命。