发明公开
- 专利标题: 基于HCI-BRDF模型的红外中短波方向发射率的计算方法
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申请号: CN202311414132.4申请日: 2023-10-27
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公开(公告)号: CN117520706A公开(公告)日: 2024-02-06
- 发明人: 吴鑫 , 林晓艳 , 郭昭祥 , 时宇昂 , 李想 , 见超超 , 李金泽
- 申请人: 西安电子科技大学
- 申请人地址: 陕西省西安市太白南路2号
- 专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市太白南路2号
- 代理机构: 西安嘉思特知识产权代理事务所
- 代理商 王萌
- 主分类号: G06F17/10
- IPC分类号: G06F17/10
摘要:
本发明公开了一种基于HCI‑BRDF模型的红外中短波方向发射率的计算方法,包括:利用实测数据拟合生成HCI‑BRDF模型;计算HCI‑BRDF模型中表征材质物理属性的拟合参数;拟合参数包括光谱漫反射率、光谱漫发射率、掠角漫反射率和掠角瓣宽度;根据拟合参数计算HCI‑BRDF模型的漫反射和镜面反射分量;基于红外局部光照模型,并根据漫反射和镜面反射分量计算半球空间各出射方向的方向反射率;基于基尔霍夫定律,以及双向反射率分布函数的互易性,并根据方向反射率计算半球空间各出射方向的方向发射率。本发明基于红外局部光照模型和HCI‑BRDF模型,可以快速计算半球空间内各出射方向的方向发射率。