Invention Publication
CN117425334A 一种存储器、电子设备
审中-实审
- Patent Title: 一种存储器、电子设备
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Application No.: CN202211446367.7Application Date: 2022-11-18
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Publication No.: CN117425334APublication Date: 2024-01-19
- Inventor: 毛淑娟 , 王桂磊 , 赵超 , 项金娟
- Applicant: 北京超弦存储器研究院
- Applicant Address: 北京市大兴区北京经济技术开发区景园北街52幢5层501-12
- Assignee: 北京超弦存储器研究院
- Current Assignee: 北京超弦存储器研究院
- Current Assignee Address: 北京市大兴区北京经济技术开发区景园北街52幢5层501-12
- Agency: 北京安信方达知识产权代理有限公司
- Agent 吴凤凰; 栗若木
- Main IPC: H10B12/00
- IPC: H10B12/00
Abstract:
一种存储器、电子设备，该存储器包括衬底以及设置在所述衬底上的至少一个晶体管，所述晶体管包括：设置在所述衬底上的凸墙，所述凸墙沿着第一方向延伸；设置在所述衬底上的半导体层，所述半导体层包括沟道区域，所述沟道区域沿着第二方向延伸，所述沟道区域覆盖至少部分所述凸墙，所述第一方向与所述第二方向交叉；设置在所述沟道区域远离所述衬底一侧的栅电极，所述栅电极与所述沟道区域互相绝。
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