Invention Publication
- Patent Title: 一种紫外光照调控力学性能的聚氨酯脲薄膜及其制备方法
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Application No.: CN202311432860.8Application Date: 2023-10-31
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Publication No.: CN117343262APublication Date: 2024-01-05
- Inventor: 徐军 , 柳占立 , 史家昕 , 施汇斌
- Applicant: 清华大学
- Applicant Address: 北京市海淀区清华大学
- Assignee: 清华大学
- Current Assignee: 清华大学
- Current Assignee Address: 北京市海淀区清华大学
- Agency: 北京润泽恒知识产权代理有限公司
- Agent 苟冬梅
- Main IPC: C08G18/32
- IPC: C08G18/32 ; C08G18/48 ; C08G18/50 ; C08G18/12 ; C08G18/44 ; C08G18/42 ; C08G18/61 ; C08G18/66 ; C08L75/04 ; C08J5/18 ; C08J7/00 ; C08J3/28

Abstract:
本发明提供了一种紫外光照调控力学性能的聚氨酯脲薄膜及其制备方法,本发明选用氨酯脲薄膜是以低聚物二元醇、低聚物二元胺、二异氰酸酯、扩链剂和紫外敏感单体为反应原料,经聚合反应得到;所述反应原料中,羟基+胺基与异氰酸酯基的摩尔比为1:0.8~1:1.2。二氨基二苯甲酮或二羟基二苯甲酮紫外光引发基团作为聚氨酯脲薄膜的制备原料之一,使得聚合形成的聚氨酯脲薄膜材料的分子链中存在紫外敏感单体,进而成型的聚氨酯脲薄膜材料在紫外光的作用下产生二次交联,得到强度韧性优异,力学性能可调控,且在日光长时间照射下可以实现刚度提升的聚氨酯脲薄膜。
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