发明授权
- 专利标题: 一种钙钛矿薄膜太阳能电池的制备方法
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申请号: CN202311508687.5申请日: 2023-11-14
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公开(公告)号: CN117328040B公开(公告)日: 2024-07-09
- 发明人: 陈庆敏 , 李丙科 , 陈加朋 , 卓倩武
- 申请人: 无锡松煜科技有限公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市新吴区环普路9号11号厂房
- 专利权人: 无锡松煜科技有限公司
- 当前专利权人: 无锡松煜科技有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市新吴区环普路9号11号厂房
- 代理机构: 浙江金杜智源知识产权代理有限公司
- 代理商 葛天祥
- 主分类号: C23C16/455
- IPC分类号: C23C16/455 ; C23C16/30 ; H10K71/10 ; H10K30/40 ; H10K30/50 ; H10K30/84 ; H10K71/00
摘要:
本发明属于太阳能电池技术领域,尤其涉及一种钙钛矿薄膜太阳能电池的制备方法。其中电荷传输层使用原子层沉积方式形成于所述衬底上,具体包括如下步骤:S01.将衬底置于反应室内,并抽真空,然后升温并保持;S02.将氮前驱体和镓前驱体混合,然后正向吹扫,接着逆向吹扫,接着正向吹扫;S03.通入惰性吹扫气吹扫;S04.将步骤S02‑S03循环若干周期后,完成沉积过程。通过在ALD沉积过程中前驱体正向、逆向吹扫结合,使得在保持GaN膜均匀性的同时,大大提升沉积效率,从而提高太阳能电池的生产效率。
公开/授权文献
- CN117328040A 一种钙钛矿薄膜太阳能电池的制备方法 公开/授权日:2024-01-02
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