三维存储器及其控制方法
摘要:
本发明涉及一种三维存储器的编程方法,三维存储器包括多个存储串,每个存储串包括依次串联的多个存储单元、至少一个虚设存储单元以及至少一个底部选择管,在编程操作的预充电阶段,编程方法包括:对与至少一个虚设存储单元相连的至少一条虚设字线施加第一预充电压;以及对与至少一个底部选择管相连的至少一个底部选择栅施加第二预充电压;其中,所述第一预充电压的持续时间小于所述第二预充电压的持续时间。
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