Invention Grant
- Patent Title: 基于ARM架构处理器的DRAM测试设备和方法
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Application No.: CN202311531394.9Application Date: 2023-11-17
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Publication No.: CN117251329BPublication Date: 2024-03-08
- Inventor: 陈宗廷 , 戴洋洋 , 陈建光 , 林国智
- Applicant: 深圳市耀星微电子有限公司
- Applicant Address: 广东省深圳市龙华区观湖街道鹭湖社区观盛五路8号大为股份科技园3号楼302
- Assignee: 深圳市耀星微电子有限公司
- Current Assignee: 深圳市耀星微电子有限公司
- Current Assignee Address: 广东省深圳市龙华区观湖街道鹭湖社区观盛五路8号大为股份科技园3号楼302
- Agency: 南京中天知识产权代理事务所
- Agent 张传伟
- Main IPC: G06F11/22
- IPC: G06F11/22
Public/Granted literature
- CN117251329A 基于ARM架构处理器的DRAM测试设备和方法 Public/Granted day:2023-12-19
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