本发明公开了一种基于掩膜保护及非接触抛光工艺的微细结构制造方法，包括以下步骤：预处理；涂胶；曝光；显影；非接触抛光；除胶检测。本发明在微细结构加工过程中，光刻胶未覆盖的基材区域被抛光，产生材料去除，而受到光刻胶保护的区域，即掩膜保护区域，基材未产生材料去除，只有光刻胶被去除。由于光刻胶的材料去除率小于基材的材料去除率，因而掩膜保护区域与未被保护区域之间产生高差，即所需制造的微细结构。本发明利用非接触抛光工艺材料去除机理为剪切去除，不会对微细结构的侧壁产生影响，即不会产生侧蚀现象，因而加工出的微细结构面形精度较高。本发明不涉及到刀具、砂轮等工具的机械去除，因而制造出的表面不存在毛刺、刀纹等缺陷。