本发明涉及一种多层变角度沟槽刻蚀‑侧壁离子注入超级结SBD及制备方法，超级结SBD包括：由下至上层叠的阴极层、碳化硅衬底层、碳化硅外延区和阳极层，碳化硅衬底层和碳化硅外延区均具有第一掺杂类型；碳化硅外延区包括若干碳化硅外延层；每层碳化硅外延层中设置有间隔排列的若干沟槽，相邻两层碳化硅外延层中的沟槽相连接；沟槽的侧壁与碳化硅外延层上表面之间形成预设角度，至少一层碳化硅外延层中的沟槽与其他碳化硅外延层中的沟槽具有不同的预设角度；沟槽的侧壁形成有掺杂区，掺杂区具有第二掺杂类型，相邻两层碳化硅外延层的掺杂区相连接；沟槽内填充有绝缘介质。该超级结SBD提升了器件整体的电荷平衡情况。