- 专利标题： 一种光催化复合抛光垫及其制备方法与抛光方法
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申请号： CN202311301304.7申请日： 2023-10-10
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公开(公告)号： CN117020936B公开(公告)日： 2023-12-29
- 发明人: 范博珺 , 高文琳 , 母凤文 , 郭超
- 申请人： 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 , 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
- 申请人地址： 天津市滨海新区渤龙湖科技园汉港路与高泰道交口高泰道4号10号厂房-101、102
- 专利权人： 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司,青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
- 当前专利权人： 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司,青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
- 当前专利权人地址： 天津市滨海新区渤龙湖科技园汉港路与高泰道交口高泰道4号10号厂房-101、102
- 代理机构： 北京品源专利代理有限公司
- 代理商 姚品雅
- 主分类号： B24B37/22
- IPC分类号： B24B37/22 ; B24B37/26 ; B24B37/24 ; B24D11/00 ; B24B37/10 ; B24B37/005 ; B24B49/00 ; H01L21/02 ; H01L21/306
摘要：
片的表面进行紫外光辅助的化学机械抛光，提升本发明提供一种光催化复合抛光垫及其制 了抛光垫中催化剂的分布均匀性，兼顾了SiC晶备方法与抛光方法，所述光催化复合抛光垫呈圆 片的抛光移除率和抛光效果，从而获得高质量表饼状，包括层叠设置的软质层、交界层和硬质层； 面。所述软质层靠近交界层的一侧表面设置有至少1个环形沟槽，且所述环形沟槽将抛光垫的表面分隔成至少2个区域；所述交界层的内部分布有光催化剂，且沿着抛光垫中心到边缘的方向，所述光催化剂在不同区域内的含量呈线性递减的分(56)对比文件US 2023197482 A1,2023.06.22US 6364744 B1,2002.04.02WO 2015008572 A1,2015.01.22
公开/授权文献
- CN117020936A 一种光催化复合抛光垫及其制备方法与抛光方法 公开/授权日：2023-11-10
