本发明涉及Micro‑LED技术领域，具体涉及一种电流限域Micro‑LED芯片及其制作方法，该Micro‑LED芯片从下至上依次包括：蓝宝石衬底、键合层、P型半导体层、发光层、N型半导体层、ITO层、钝化层、P电极和N电极；N型半导体层依次包括N‑限制层、N‑电流扩展层和N‑GaAs层；N‑电流扩展层和N‑GaAs层的侧壁与所述芯片的侧壁不平齐，并向芯片中心缩进，形成隔离槽。本发明通过在芯片上制作隔离槽，切断电流扩散至侧壁的通道，同时将N‑GaAs层设计成距离芯片中心一定距离的平行栅线，将电流限制在芯片中间区域，可以有效减少侧壁缺陷带来的非辐射复合，提高Micro‑LED的效率。