本申请提供了一种场效应晶体管及其制备方法、终端设备。该场效应晶体管包括衬底结构、源极、漏极及栅极。其中，衬底结构具有源区、漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区，源区包括能够提供冷载流子的三维材料。源极耦合于源区，漏极耦合于漏区，栅极设置于沟道区上。源区与沟道区的材质不同，且源区与沟道区之间具有肖特基势接触。该场效应晶体管能够降低源端掺杂扩散，通过不同的源区材料选择，更好地维持冷载流子在晶体管打开时进入沟道区。从而在达到超低亚阈值摆幅的同时，具有较高的开态电流，且能够与大多数硅基衬底匹配，具备大规模应用的优势。