发明公开
- 专利标题： 半导体装置、半导体装置的制造方法及电力变换装置
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申请号： CN202310161856.6申请日： 2023-02-24
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公开(公告)号： CN116705744A公开(公告)日： 2023-09-05
- 发明人: 安井贵俊
- 申请人： 三菱电机株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 三菱电机株式会社
- 当前专利权人： 三菱电机株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 何立波; 张天舒
- 优先权： 2022-032575 20220303 JP
- 主分类号： H01L23/49
- IPC分类号： H01L23/49 ; H01L21/60 ; H01L25/18 ; H02M1/00
摘要：
得到能够对半导体元件之上的电极板的倾斜进行抑制的半导体装置。还涉及半导体装置的制造方法及电力变换装置。该半导体装置具有：绝缘基板；半导体元件，其经由第1接合材料接合于绝缘基板之上；多个支撑导线，它们在半导体元件和设置于半导体元件的上方的电极板之间，与半导体元件、电极板接触；以及第2接合材料，其设置于半导体元件之上，将半导体元件和电极板接合。
IPC分类:
