本发明公开了一种真空和常压环境SiC MOSFET器件加速老化试验平台，包括加热控制单元、检测控制单元、数据采集模块、置于真空环境中的第一待测器件DUT1以及置于常压环境中的第二待测器件DUT2；加热控制单元与检测控制单元并联，第一待测器件DUT1和第二待测器件DUT2串联后与加热控制单元和检测控制单元并联；数据采集模块分别与第一待测器件DUT1和第二待测器件DUT2连接，用于采集第一待测器件DUT1和第二待测器件DUT2的实验数据。本发明能够同时在真空和常压环境下对SiC MOSFET器件进行加速老化，且保证了散热方式、加热和测量电流等其它变量的一致性，保证了试验数据的可对比性，确保最终能够准确的分析真空环境对SiC MOSFET器件老化的影响。