Invention Publication
- Patent Title: 图形化掩膜板、掺杂方法及太阳能电池制作方法
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Application No.: CN202310343522.0Application Date: 2023-04-03
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Publication No.: CN116454163APublication Date: 2023-07-18
- Inventor: 王红芳 , 史金超 , 翟金叶 , 潘明翠 , 郎芳 , 田思 , 于波
- Applicant: 英利能源发展有限公司 , 英利能源发展(保定)有限公司
- Applicant Address: 河北省保定市朝阳北大街3399号5号厂房227室;
- Assignee: 英利能源发展有限公司,英利能源发展(保定)有限公司
- Current Assignee: 英利能源发展有限公司,英利能源发展(保定)有限公司
- Current Assignee Address: 河北省保定市朝阳北大街3399号5号厂房227室;
- Agency: 河北国维致远知识产权代理有限公司
- Agent 赵宝琴
- Main IPC: H01L31/18
- IPC: H01L31/18 ; H01L31/0224 ; H01L21/22

Abstract:
本发明提供了一种图形化掩膜板、掺杂方法及太阳能电池制作方法,属于太阳能电池技术领域,其中图形化掩膜板包括边框,边框内具有并排设置的非遮挡区和遮挡区,遮挡区内具有多个间隔设置的条形板,条形板的一端与边框连接,条形板的另一端朝向非遮挡区;相邻条形板之间的间隙连接非遮挡区,相邻条形板之间的间隙数量与印刷栅线电极的根数一致。本发明提供的图形化掩膜板,位于非遮挡区范围内的硅片可以实现多接受一次全掺杂,提高全掺杂的覆盖率,进而提高了转化效率;使得磷离子在二次注入到硅片表面的同时硅片表面完成选择性掺杂,最终实现一次性高激活率选择性掺杂过程,进而提升了电池效率。
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IPC分类: