发明授权
- 专利标题: 一种基于非PN结的器件模块及其制造方法
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申请号: CN202310703518.0申请日: 2023-06-14
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公开(公告)号: CN116435379B公开(公告)日: 2023-08-29
- 发明人: 刘富德 , 郑大伟
- 申请人: 深圳道童新能源有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园1栋407
- 专利权人: 深圳道童新能源有限公司
- 当前专利权人: 深圳道童新能源有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园1栋407
- 代理机构: 深圳汉林汇融知识产权代理事务所
- 代理商 刘临利
- 主分类号: H01L31/0216
- IPC分类号: H01L31/0216 ; H01L31/0224 ; H01L31/0352 ; H01L31/18
摘要:
本发明属于芯片技术领域,公开了一种基于非PN结的器件模块及其制造方法,包括半导体层和铁电层,半导体层具有相对的第一表面和第二表面,第一表面的预设位置设有第一正极组件和第一负极组件;其中,第一极化电极与第一正极组件之间形成有第一电荷通道,环绕于第一电荷通道具有驱使电子和空穴分别沿预设方向移动的第一电场。本器件模块能够通过外电场对在半导体内产生一个外加电场,从而可以加强半导体内电子和空穴的分离,并定向移动至负极和正极分别进行收集,且电场能够作用于整个半导体层,从作用域和作用效果上均能提高对载流子的运输能力,具有更优的能量转换效率,提高产品性能。
公开/授权文献
- CN116435379A 一种基于非PN结的器件模块及其制造方法 公开/授权日:2023-07-14
IPC分类: