发明公开
- 专利标题： 一种常关型二维氧化镓异质结场效应管场效应管及其制备方法
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申请号： CN202310157616.9申请日： 2023-02-23
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公开(公告)号： CN116435373A公开(公告)日： 2023-07-14
- 发明人: 冯欣 , 赵江涵 , 周弘 , 宁静 , 张苇杭 , 刘志宏 , 张进成 , 郝跃
- 申请人： 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
- 申请人地址： 广东省广州市黄埔区中新知识城海丝中心B5、B6、B7栋;
- 专利权人： 西安电子科技大学广州研究院,西安电子科技大学
- 当前专利权人： 西安电子科技大学广州研究院,西安电子科技大学
- 当前专利权人地址： 广东省广州市黄埔区中新知识城海丝中心B5、B6、B7栋;
- 代理机构： 广东省中源正拓专利代理事务所
- 代理商 朱靖华
- 主分类号： H01L29/80
- IPC分类号： H01L29/80 ; H01L21/335 ; B82Y10/00 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要：
本发明公开了一种常关型二维氧化镓异质结场效应管及其制备方法，属于半导体器件领域。本发明主要解决目前氧化镓材料有效p型掺杂难、栅极漏电以及器件击穿电压低的问题，其自下而上包括：绝缘衬底、β‑Ga2O3薄膜层、源电极、漏电极、绝缘层、二维材料薄膜层、介质层和栅电极。Ga2O3与p型二维薄膜材料构成异质结对沟道耗尽形成常关型器件；栅介质层抑制因异质结开启而出现的栅极电流。本发明提高了器件的击穿电压，抑制栅极漏电流的产生。
IPC分类:
