本发明公开了一种黄绿光LED外延片及其制备方法、黄绿光LED，涉及半导体光电器件领域。其中，黄绿光LED外延片包括衬底，层叠于衬底上的缓冲层、U‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层，多量子阱层包括第一多量子阱层和第二多量子阱层；第一多量子阱层为周期性结构，每个周期均包括In2SSe层、InxGa1‑xN层和第一GaN层，x为0.2~0.35；第二多量子阱层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的InyGa1‑yN层和第二GaN层，y为0.1~0.2。实施本发明，可提升发光效率，且不显著提升工作电压。