发明公开
- 专利标题: 页缓冲电路及包括其的存储器件
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申请号: CN202211028572.1申请日: 2022-08-25
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公开(公告)号: CN116137172A公开(公告)日: 2023-05-19
- 发明人: 曹溶成
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京市立方律师事务所
- 代理商 李娜; 邓思思
- 优先权: 10-2021-0158925 20211117 KR
- 主分类号: G11C16/24
- IPC分类号: G11C16/24 ; G11C16/04 ; G11C7/12
摘要:
提供了一种页缓冲电路及包括其的存储器件。存储器件包括:存储单元阵列;以及通过多条位线连接到所述存储单元阵列的页缓冲电路,所述页缓冲电路包括与所述位线对应布置的多个页缓冲器,并且所述多个页缓冲器均包括感测节点。所述多个页缓冲器包括第一页缓冲器,并且所述第一页缓冲器包括:第一感测节点,所述第一感测节点被配置为感测数据并且对应于第一金属导线和第二金属导线,所述第一金属导线位于下部金属层,所述第二金属导线电连接到所述第一金属导线并且位于在所述下部金属层上方的上部金属层;以及升压节点,所述升压节点对应于所述上部金属层的与所述第二金属导线相邻的第三金属导线并且被配置为控制所述第一感测节点的升压和降压。