Invention Grant
- Patent Title: 正余弦编码器的光强控制方法、存储介质及正余弦编码器
-
Application No.: CN202211457471.6Application Date: 2022-11-21
-
Publication No.: CN115942553BPublication Date: 2024-03-22
- Inventor: 孙立强
- Applicant: 长春汇通光电技术有限公司
- Applicant Address: 吉林省长春市高新区众恒路456号院内3号楼4楼
- Assignee: 长春汇通光电技术有限公司
- Current Assignee: 长春汇通光电技术有限公司
- Current Assignee Address: 吉林省长春市高新区众恒路456号院内3号楼4楼
- Agency: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所
- Agent 单家健
- Main IPC: H05B47/10
- IPC: H05B47/10 ; H03M1/64 ; H03M1/34 ; G06F7/50

Abstract:
本发明公开了一种正余弦编码器的光强控制方法、存储介质及正余弦编码器,所述方法包括:获取当前生成的正余弦信号;其中,正余弦信号包括正弦信号和余弦信号;根据正弦信号和余弦信号,利用对数运算放大器和加法器,确定正弦信号平方的对数值和余弦信号平方的对数值;基于正弦信号平方的对数值和余弦信号平方的对数值,解算正弦信号和余弦信号的平方和,得到实际幅值;获取特征幅值;其中,特征幅值用于表征期望输出的正余弦信号的幅值;根据实际幅值和所述特征幅值,生成光强控制信号;其中,光强控制信号用于调整正余弦编码器中发光器的发光强度。通过本发明,有效地实现编码器光强的实时闭环控制,使得编码器能够持续输出高质量的编码信号。
Public/Granted literature
- CN115942553A 正余弦编码器的光强控制方法、存储介质及正余弦编码器 Public/Granted day:2023-04-07
Information query