本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、应力释放层、有源层、电子阻挡层、P型GaN层；所述有源层包括依次层叠于所述应力释放层上的第一有源层、第二有源层和第三有源层，所述第一有源层包括周期性层叠的第一量子阱层和第一量子垒层，所述第二有源层包括周期性层叠的第二量子阱层和第二量子垒层，所述第三有源层包括周期性层叠的第三量子阱层和第三量子垒层。本发明提供的发光二极管外延片能够进一步改善droop效应，提升辐射复合几率，获得更佳的光电性能。