本发明公开了一种Micro LED芯片的激光辅助快速转移方法，包括：将衬底上的Micro LED芯片刻蚀成非对称形状，采用超短脉冲激光束辐照Micro LED芯片，使GaN层发生改性；并将其置于腐蚀液中并加热，剥离衬底；将剥离后的Micro LED芯片置于悬浮液中，中间模板的微结构凹槽捕获流经的Micro LED芯片；将目标基板置于中间模板的正上方，使目标基板上的芯片安装位与中间模板捕获的Micro LED芯片位置对准，翻转吸附后中间模板与目标基板，使Micro LED芯片落入目标基板的芯片安装位处。本发明可实现Micro LED芯片的快速、高精度、高良率转移，同时具有较低技术成本。