本发明公开了一种适用于电压脉冲触发的超快速雪崩晶体管，包括由下至上设置的集电区电极、集电极区n+衬底层、集电极区n0外延层、p+基区层及n+发射区层，p+基区层旁设有环状深阱结构，深阱结构采用SiO2‑Si3N4；还包括基区电极和发射区电极，集电极区n0外延层的表面覆盖一层氧化层，氧化层上覆盖有金属场板，金属场板与基区电极接触，金属场板的底部穿过氧化层与p+基区层接触，n+发射区层表面覆盖一层掺氧半绝缘多晶硅层，发射区电极的底部穿过掺氧半绝缘多晶硅层与n+发射区层接触。本发明能有效提高雪崩晶体管在基射极短接，电压脉冲触发时的动态开通速度，优化基于雪崩晶体管的脉冲发生器的电压输出上升沿特性。