一种LDMOS器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成栅极结构；对所述半导体衬底进行第一掺杂类型的掺杂离子注入，以在所述栅极结构一侧形成间隔排列的多个第一源极掺杂区；形成覆盖所述半导体衬底的层间介电层；刻蚀所述层间介电层和所述半导体衬底，以在每相邻两个所述第一源极掺杂区之间形成第一接触孔，所述第一接触孔的底部位于所述半导体衬底内部；对所述第一接触孔以一定的倾斜角度进行第二掺杂类型的掺杂离子注入，以形成第二源极掺杂区，所述第二源极掺杂区的面积大于所述第一源极掺杂区的面积。本发明的LDMOS器件的制造方法能够使第二源极掺杂区的面积大于第一源极掺杂区的面积，提高LDMOS器件的性能。