本发明涉及一种含Zr‑C‑Si主链单源超高温陶瓷先驱体的制备方法，该先驱体含有如下分子链结构：#imgabs0#主链结构单元为Zr‑C‑Si，n表示聚合度，制备方法：首先利用Cp2ZrCl2与还原性金属Mg生成低氧化态Cp2Zr(Ⅱ)等效活性物种，而后加入(CH3)2Si(CH2Cl)2并在110℃下进行共聚，过滤除去反应副产物镁盐，真空浓缩，除去溶剂得到橙黄色聚锆碳硅烷先驱体。本发明的制备方法方案新颖，设备工艺简单，所得先驱体能溶解于甲苯、THF等有机溶剂，软化点为140～185℃，良好的溶解熔融性能有助于后续成型加工以及功能化应用。