本发明提供了一种交叉式平面栅碳化硅VDMOSFET的制造方法，在碳化硅衬底的漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻，离子注入，形成基区；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻，离子注入，形成源区；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻、淀积金属，形成源极金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻，氧化，形成栅隔离层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻，淀积金属，形成栅极金属层；清除阻挡层，在碳化硅衬底上淀积金属，形成漏极金属层，设有寄生肖特基二极管，其导通压降要低于一般VDMOSFET中的寄生PN结二极管，可以降低在器件未导通时的损耗；并且栅极金属层和源极金属层相互交叉，可以增加器件的栅控能力。