Invention Publication
- Patent Title: 基于复合介质栅电容的电压式全局快门光敏探测器及方法
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Application No.: CN202211271678.4Application Date: 2022-10-18
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Publication No.: CN115692443APublication Date: 2023-02-03
- Inventor: 闫锋 , 朱千琳 , 常峻淞 , 陈辉 , 王子豪 , 沈凡翔 , 刘泉
- Applicant: 南京大学
- Applicant Address: 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号
- Assignee: 南京大学
- Current Assignee: 南京大学
- Current Assignee Address: 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号
- Agency: 江苏法德东恒律师事务所
- Agent 李媛媛
- Main IPC: H01L27/146
- IPC: H01L27/146

Abstract:
本发明提供了一种基于复合介质栅电容的电压式全局快门光敏探测器及方法。该探测器的单元中,全局快门结构设置在复合介质栅MOS电容和读取晶体管之间,具体包括开关晶体管和开关电容,开关晶体管的结构包括底层绝缘介质层、控制栅极和源漏极,开关晶体管的源极与复合介质栅MOS电容相连,开关晶体管漏极对地串联接上开关电容,电荷信号从复合介质栅MOS电容耦合到开关电容上,从而将电荷信号转化为电压信号;读取晶体管的控制栅与开关晶体管的源极相连;电压信号从读取晶体管的控制栅端输入,由读取晶体管的漏极读出。本发明能在传统的光敏探测器基础上实现全局曝光功能,并且可以有效解决感光界面处的由暗电流导致的模拟域噪声。
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