本发明涉及电子元器件封装领域，具体涉及一种异质层状复合封盖及其加工方法。该封盖用于和金属导电柱配合，形成电子器件的气密性封装；封盖的尺寸和形状与金属导电柱相适配，封盖基材由设置在外侧面的无氧铜和设置在内侧面的可伐合金复合构成，在封盖的内侧面，具有一个向外侧面方向凸起的、用于容纳待封装器件的腔体结构，封盖还包括环绕腔体结构的边缘一体式设置的扁平状飞边，飞边的底面平行于金属导电柱用于封装的顶面以保证贴合；在封盖的腔体结构位置，开设有用于穿插引线的通孔。本发明结构简单，封盖采用机械式压力密封，无多余飞溅物产生，无需设置凸筋，有利于封装的稳定性以及小型化和集成化应用。