本公开的实施例涉及用于存储器内计算操作的自适应体偏置管理。存储器内计算电路包括具有SRAM单元的存储器阵列，SRAM单元通过字线按行连接并且通过位线按列连接。每个SRAM单元中的晶体管的体偏置节点由调制体偏置电压偏置。行控制器电路同时并行激励字线以用于存储器内计算操作。列处理电路处理响应于同时激励而在位线上生成的模拟电压，以生成用于存储器内计算操作的判决输出。电压生成器电路在同时激励期间将调制体偏置电压从非负电压电平切换到负电压电平。根据集成电路处理和/或温度条件来调整负电压电平，以便优化针对不希望的存储器单元数据翻转的保护。