发明授权
CN1156007C 不易失存储器
失效 - 权利终止
- 专利标题: 不易失存储器
- 专利标题(英): Nonvolatile memory
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申请号: CN00802054.X申请日: 2000-09-08
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公开(公告)号: CN1156007C公开(公告)日: 2004-06-30
- 发明人: 大塚洋一 , 曾根纯一 , 蔡兆申 , 中村泰信 , 安井孝成
- 申请人: 科学技术振兴事业团 , 日本电气株式会社
- 申请人地址: 日本琦玉县
- 专利权人: 科学技术振兴事业团,日本电气株式会社
- 当前专利权人: 科学技术振兴事业团,日本电气株式会社
- 当前专利权人地址: 日本琦玉县
- 代理机构: 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 马娅佳; 穆魁良
- 优先权: 277907/1999 1999.09.30 JP
- 国际申请: PCT/JP2000/006159 2000.09.08
- 国际公布: WO2001/026156 JA 2001.04.12
- 进入国家日期: 2001-05-25
- 主分类号: H01L27/10
- IPC分类号: H01L27/10 ; H01L27/105 ; H01L29/66 ; H01L29/788
摘要:
实现器件的提高可靠性、降低消耗电力、高速动作。如果在源极(1)·漏极(2)间给出某个偏置电压并使栅极电压变化,则按照在岛电极(3)内量化的静电能级,在源极(1)·漏极(2)间离散地流过电流。此时的源极(1)·漏极(2)间电流的通·断可以通过在栅极上施加1/2单元电荷来进行。如果靠栅极电压在铁电层(6)上引发极化,则其电场加在岛电极(3)上。可以高灵敏度地测定此时的源极(1)·漏极(2)间的电流。电荷的保持靠铁电层6内的极化来进行,即使去除电源也能够保持储存内容。
公开/授权文献
- CN1322379A 不易失存储器 公开/授权日:2001-11-14
IPC分类: