本发明公开了一种半导体结构的制造方法，制造方法包括形成一材料迭层于衬底上并覆盖其阵列区及周边区；形成第一图案化遮罩层于材料迭层上；将第一图案化遮罩层的图案转移至材料迭层，而在阵列区及周边区中形成第一阵列图案及第一周边图案；提供第二图案化遮罩层于第一阵列图案及第一周边图案的上方，且第二和第一图案化遮罩层的图案错开；将第二图案化遮罩层的图案向下转移，而于阵列区与周边区中形成第一、第二牺牲图案；同时将第一阵列图案、第一牺牲图案、第一周边图案及第二牺牲图案进行图案转移，以分别在阵列区和周边区中形成第二阵列图案与第二周边图案。本发明所提出的半导体结构的制造方法可简化工艺步骤并降低成本。