半导体器件按从第一主侧(21)到第二主侧(22)的顺序包括：第一导电类型的第一半导体层(3)、第二导电类型的第三半导体层(41)、第二导电类型的第五半导体层(43)、以及第二导电类型的第四半导体层(42)，其中，第三半导体层与第一半导体层(3)形成pn结(5)，第五半导体层(43)的最大掺杂浓度低于第四半导体层(42)的最大掺杂浓度且高于第三半导体层(41)的最大掺杂浓度，并且其中，第一导电类型的第一半导体区(51)和第二半导体区(52)完全嵌入在第五半导体层(43)中。在反向恢复期间，第一半导体区(51)的第一导电类型载流子注入持续时间不同于第二半导体区(52)的第一导电类型载流子注入持续时间。